Skip to content

Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления Александр Костров

Скачать книгу Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления Александр Костров EPUB

Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления. В основе работы ячеек магниторезистивной оперативной памяти лежит эффект туннельного магнитного сопротивления.

Рецензии на книгу «Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления». Александр Костров. 0. Эксплуатация промышленного оборудования. Читать ещёРецензии на книгу «Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления». Александр Костров. 0. Эксплуатация промышленного оборудования. 0 в избранном в избранном. ISBN: Год издания: Издательство: LAP LAMBERT Academic Publishing Язык: Русский. Разработка элементов памяти, сочетающих в себе преимущества всех распространенных технологий хранения информации – актуальная задача современной микро- и наноэлектроники.

Скрыть. Костров А.И.1, Данилюк А.Л.1, Стемпицкий В.Р.1, Борисенко В.Е.1 1 Белорусский государственный  Разработана динамическая поведенческая модель ячейки спиновой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления. Читать ещёКостров А.И.1, Данилюк А.Л.1, Стемпицкий В.Р.1, Борисенко В.Е.1 1 Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. Тип: статья в журнале - научная статья Язык: русский.

Номер: 1 Год: Страницы:   Разработана динамическая поведенческая модель ячейки спиновой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления.

Модель реализует магнитную гистерезисную и временную характеристики на основе уравнения Ландау-Лифшица-Гильберта. Применение модели продемонстрировано для элемента памяти MRAM нового поколения в интегральном исполнении на кремнии. Скрыть. Александр Костров. Купить.  Оптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе Читать ещёАлександр Костров.

Купить. от 5 руб.  Оптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе такие качества, как хранение данных неограниченное время без необходимости регенерации, высокое быстродействие, неограниченное число циклов чтения/записи и возможность совмещения с КМОП технологическим процессом изготовления.

В книге рассматриваются конструкции запоминающих устройств, электрические эквивалентные схемы ячеек памяти. Скрыть. Туннельное магнитосопротивление. В основе работы ячеек магниторезистивной оперативной памяти лежит эффект туннельного магнитного сопротивления. Читать ещёТуннельное магнитосопротивление. В основе работы ячеек магниторезистивной оперативной памяти лежит эффект туннельного магнитного сопротивления.

Многослойные материалы с эффектом туннельного магнитного сопротивления (с туннельным магнитным переходом, в английской литературе MTJ — Magnetic Tunnel Junction) похожи на ГМС-конструкции. Это тоже «сэндвичи», в которых слои ферромагнетиков (металлов или манганитов) разделены немагнитным материалом.

Только этот немагнитный материал является не металлом, как в ГМС, а диэлектриком — изолятором, например оксидом алюминия. Скрыть. № 2 (48). УДК Электрическая модель ячейки памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления. А.И. Костров, В.Р. Стемпицкий, Т.Н. Родина, Ал. Данилюк, В.Е. Борисенко. Читать ещё № 2 (48). УДК Электрическая модель ячейки памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления.

А.И. Костров, В.Р. Стемпицкий, Т.Н. Родина, Ал. Данилюк, В.Е. Борисенко. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники П. Бровки, 6, Минск, , Беларусь. Поступила в редакцию 3 декабря Разработана электрическая модель ячейки памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления (МОЗУ — магниторезистивное оперативное запоминающее устройство) в интегральном исполнении на кремнии.

Скрыть. Оптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в  Russian.

By (author): Александр Костров. Читать ещёОптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе такие качества, как хранение данных неограниченное время без необходимости регенерации, высокое быстродействие, неограниченное число циклов чтения/записи и возможность совмещения с КМОП технологическим процессом изготовления.

В книге рассматриваются конструкции запоминающих устройств, электрические эквивалентные схемы ячеек памяти.  Russian. By (author): Александр Костров. Number of pages: Скрыть. Бумажная версия. Автор: Александр Костров.  с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе Читать ещёБумажная версия. Автор: Александр Костров. ISBN: Год издания:   Оптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе такие качества, как хранение данных неограниченное время без необходимости регенерации, высокое быстродействие, неограниченное число циклов чтения/записи и возможность совмещения с КМОП технологическим процессом изготовления.

В книге рассматриваются конструкции запоминающих устройств, электрические эквивалентные схемы ячеек памяти. Скрыть. Оптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе такие  Автор. Александр Костров. Читать ещёОптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе такие качества, как хранение данных неограниченное время без необходимости регенерации, высокое быстродействие, неограниченное число циклов чтения/записи и возможность совмещения с КМОП технологическим процессом изготовления.

В книге рассматриваются конструкции запоминающих устройств, электрические эквивалентные схемы ячеек памяти.  Автор. Александр Костров. Издательство. LAP Lambert Academic Publishing.

Скрыть.

PDF, fb2, fb2, fb2